收藏本站
IRFP048N
4000
V GS
C is s
C rs s
C o ss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH O RTE D
= C gd
= C ds +C g d
20
16
I D = 3 2A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
3000
C is s
12
2000
1000
C os s
C rs s
8
4
FO R TES T C IR CU IT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIG U R E 13
60 80
100
A
1000
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O PER ATIO N IN T HIS AR EA LIMITE D
BY R DS (on)
100
10
T J = 1 75 °C
T J = 2 5°C
100
10
10μ s
1 00μs
1 ms
1
10m s
V G S = 0 V
T J
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2 2.6
A
1
1
T C = 25 °C
= 17 5°C
S in gle Pu lse
10
100
A
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFP054N MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
IRFP140N MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
IRFP150A MOSFET N-CH 100V 43A TO-3
IRFP150N MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
IRFP250 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
IRFP260 MOSFET N-CH 200V 46A TO247
IRFP264 MOSFET N-CH 250V 38A TO247
IRFP3703 MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC
相关代理商/技术参数
IRFP048NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP048NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP048R 功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP048R_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFP048RPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 70 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP054_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET